サブ0.1μm CMOS用にラジカル酸窒化を使った低漏れ電流で高信頼性の1.5nm SiONゲート酸化膜

TOGO M; WATANABE K; YAMAMOTO T; IKARASHI N; SHIBA K; TATSUMI T; ONO H; MOGAMI T

文献

J-GLOBAL ID：200902130396831964 整理番号：00A0897567

サブ0.1μm CMOS用にラジカル酸窒化を使った低漏れ電流で高信頼性の1.5nm SiONゲート酸化膜

Low-Leakage and Highly-Reliable 1.5nm SiON Gate-Dielectric Using Radical Oxynitridation for Sub-0.1μm CMOS.

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巻： 2000 ページ： 116-117 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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