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J-GLOBAL ID：200902130687436558   整理番号：01A0102866

ZnO薄膜のホモエピタキシャル成長における基板表面の極性効果

Polarity effects of substrate surface in homoepitaxial ZnO film growth.

著者 (7件)： ZHU S (NASA/Marshall Space Flight Center, AL, USA) ,  SU C-H (NASA/Marshall Space Flight Center, AL, USA) ,  LEHOCZKY S L (NASA/Marshall Space Flight Center, AL, USA) ,  HARRIS M T (AFRL, MA, USA) ,  CALLAHAN M J (AFRL, MA, USA) ,  MCCARTY P (Univ. Alabama, AL, USA) ,  GEORGE M A (Univ. Alabama, AL, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 219  号： 4  ページ： 361-367  発行年： 2000年11月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)ZnO単結晶基板の二つの極性表面(O-表面とZn...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO薄膜 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  基板表面