パラジウム/極薄酸化物/ケイ素構造の水素誘起界面トラップ

文献

J-GLOBAL ID：200902131108138946 整理番号：99A0245994

Hydrogen-Induced Interface Traps in a Palladium/Very Thin Oxide/Silicon Structure.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 11 号： 1 ページ： 41-50 発行年： 1999年
JST資料番号： L0338A ISSN： 0914-4935 CODEN： SENMER 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Pd薄膜/極薄シリコン酸化物(<5nm)/Si構成のPdMO...

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金属-絶縁体-半導体構造

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