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J-GLOBAL ID:200902131575121593   整理番号:96A0268869

MOCVDで成長させた窒化ガリウムのX線回折研究

X-Ray Diffraction Study of Gallium Nitride Grown by MOCVD.
著者 (5件):
資料名:
巻: 193  号:ページ: 391-397  発行年: 1996年02月01日 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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半導体薄膜 
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