MOCVDで成長させた窒化ガリウムのX線回折研究

文献

J-GLOBAL ID：200902131575121593 整理番号：96A0268869

X-Ray Diffraction Study of Gallium Nitride Grown by MOCVD.

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巻： 193 号： 2 ページ： 391-397 発行年： 1996年02月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

サファイアのc面(0001)及びr面(01-12)上に,トリ...

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半導体薄膜

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