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J-GLOBAL ID：200902131664314630   整理番号：94A0723511

GaN MESFETのマイクロ波性能

Microwave performance of GaN MESFETs.
著者 (6件)：
BINARI S C

BINARI S C について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

, 
ROWLAND L B

ROWLAND L B について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

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KRUPPA W

KRUPPA W について

(SFA, Inc., MD, USA)

SFA, Inc., MD, USA について

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KELNER G

KELNER G について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

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DOVERSPIKE K

DOVERSPIKE K について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

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GASKILL D K

GASKILL D K について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について


資料名：
Electronics Letters  (Electronics Letters)

Electronics Letters について


巻： 30  号： 15  ページ： 1248-1249  発行年： 1994年07月21日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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チャネル厚0.25μmのGaN MESFETを製造した。この...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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GaN

GaN について

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MESFET

MESFET について

, 
マイクロ波

マイクロ波 について


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