文献
J-GLOBAL ID：200902131666869990   整理番号：93A0238124

In situ bulk lifetime measurement on silicon with a chemically passivated surface.

著者 (3件)：
HORANYI T S

HORANYI T S について

(SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN)

SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN について

, 
PAVELKA T

PAVELKA T について

(SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN)

SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN について

, 
TUETTOE P

TUETTOE P について

(SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN)

SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 63  号： 1/4  ページ： 306-311  発行年： 1993年01月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

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