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J-GLOBAL ID：200902131867066720   整理番号：02A0225962

非晶質けい素薄膜のニッケル金属誘起横方向結晶化のその場観察

In situ observation of nickel metal-induced lateral crystallization of amorphous silicon thin films.

著者 (3件)： MIYASAKA M (Seiko Epson Corp., Suwa, JPN) ,  MAKIHIRA K (Kyushu Inst. Technol., Iizuka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Iizuka, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 6  ページ： 944-946  発行年： 2002年02月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡(TEM)内のその場焼鈍系を用いてNiによっ...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  けい素薄膜 ,  ニッケル ,  金属誘起横方向結晶化 ,  その場観察