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J-GLOBAL ID：200902131958498062   整理番号：01A0768576

アンドープ水素終端ダイヤモンドを用いたISFETの特性評価

著者 (5件)： 荒木裕太 (早稲田大 理工) ,  堺俊克 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 68th  ページ： 323  発行年： 2001年03月25日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは未ドープでも表面を水素終端処理することによって...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素終端 ,  ダイヤモンド ,  ISFET ,  特性評価