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J-GLOBAL ID：200902131994119426   整理番号：93A0773138

タイトバインディング法におけるIII-V半導体のΧ点の変形ポテンシャル

X-point deformation potentials of III-V semiconductors in a tight-binding approach.
著者 (2件)：
MUNOZ M C

MUNOZ M C について

(Inst. Ciencia de Materiales, Madrid, ESP)

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, 
ARMELLES G

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(Centro Nacional de Microelectronica, Madrid, ESP)

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 48  号： 4  ページ： 2839-2842  発行年： 1993年07月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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III-V半導体化合物の静水圧E1変形...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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化合物半導体

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分類 (1件)：
分類
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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

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タイトルに関連する用語 (2件)：
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III-V半導体

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変形ポテンシャル

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