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J-GLOBAL ID：200902132002510591   整理番号：97A0694013

改善した誘導結合プラズマからの非晶質および結晶性けい素膜の低温成長

Low Temperature Growth of Amorphous and Polycrystalline Silicon Films from a Modified Inductively Coupled Plasma.

著者 (5件)： GOTO M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOYODA H (Matsushita Electric Industrial Co., Kyoto, JPN) ,  KITAGAWA M (Matsushita Electric Industrial Co., Kyoto, JPN) ,  HIRAO T (Matsushita Technores. Inc., Osaka, JPN) ,  SUGAI H (Matsushita Technores. Inc., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 6A  ページ： 3714-3720  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者等が以前に行ったa-Si:Hの研究の結果を拡張して,ここ...

シソーラス用語： 多結晶 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• 1) See for example the review by A. Matsuda, presented at 1996 Int. Conf. Plasma Physics (Nagoya, September 1996); to be published in Plasma Phys. Control. Fusion.
• 2) A. Matsuda: J. Non-Cryst. Solids 59/60 (1983) 767.
• 3) C. A. Dimitriadis, J. Stoemenos, P. A. Coxon, S. Friligkos, J. Antonopoulos and N. A. Economou: J. Appl. Phys. 73 (1993) 8402
• 4) A. Suzuki, Y. Toyoshima, P. J. McElheny and A. Matsuda: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L790.
• 5) M. Kawasaki, M. Matsuse, M. Eguchi, M. Miyashita, H. Sakata and H. Hoinuma: Proc. 2nd Int. Conf. Reactive Plasmas (Yokohama, January, 1994) p. 637.

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘導結合プラズマ ,  非晶質 ,  結晶性 ,  けい素膜 ,  低温成長