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J-GLOBAL ID：200902132032096994   整理番号：02A0698087

Si(111)7×7表面へのCs吸着の初期段階の局所的トンネル障壁高さによる研究

Local Tunneling Barrier Height Studies of the Initial Stage of Cs Adsorption on a Si(111) 7 × 7 Surface.

著者 (4件)： YAMADA Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SINSARP A (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO S (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 8  ページ： 5386-5389  発行年： 2002年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 仕事関数の減少機構を含むセシウム吸着の原子的スケール効果を明...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (19件)：

• 1) I. Langmuir and K. H. Kingdon: Phys. Rev. 34 (1929) 129.
• 2) E. Wimmer and A. J. Freeman: Phys. Rev. B 28 (1983) 3074.
• 3) G. Hughes and R. Ludeke: J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1986) 1109.
• 4) H. I. Stainberg, P. Soukiassian, M. H. Bakashi and Z. Hurych: Phys. Rev. B 37 (1988) 1315.
• 5) P. Saukiassian, M. H. Bakashi, H. I. Stainberg, Z. Hurych, T. M. Gentle and K. P. Chuette: Phys. Rev. Lett. 59 (1987) 1488.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Cs ,  吸着 ,  初期段階 ,  トンネル ,  障壁高さ ,  研究