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J-GLOBAL ID：200902132033647730   整理番号：02A0235768

アモルファスSiC:H/アモルファスSi:H/結晶Siヘテロ接合フォトダイオードにおけるアバランシェ光電流増倍のための基板の最適キャリア濃度

Optimum carrier concentration of the substrate for avalanche photocurrent multiplication in an amorphous SiC:H/amorphous Si:H/crystalline Si heterojunction photodiode.

著者 (8件)： OHTAKE H (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  NISHIGUCHI T (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HIRANO Y (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  SATO F (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  ABE M (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  SAITO N (NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  SAWADA K (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  ANDO T (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B90  号： 1/2  ページ： 120-124  発行年： 2002年03月07日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ増強化学蒸着(CVD...

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： アモルファス ,  SiC ,  アモルファスSi ,  結晶Si ,  ヘテロ接合 ,  フォトダイオード ,  光電流 ,  キャリア濃度