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J-GLOBAL ID：200902132166025325   整理番号：00A0300140

同軸衝撃衝突イオン散乱分光法を用いたプラズマ支援分子ビームエピタキシャルGaN{0001}膜の極性の特性評価

Characterization of Polarity of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001} Film Using Coaxial Impact Collision lon Scattering Spectroscopy.

著者 (6件)： SONODA S (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHIMIZU S (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI Y (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  BALAKRISHNAN K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SHIRAKASHI J (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 2A  ページ： L73-L75  発行年： 2000年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001)基板の初期窒化および高周波プラズマ支援...

シソーラス用語： イオン散乱分光法 ,...
準シソーラス用語： 直衝突イオン散乱分光法 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (7件)：

• 1) J. M. Balanowski and S. Porowski: Semicond. Insul. Mater. 1996 (1996) 77.
• 2) S. Keller, B. P. Keller, Y.-F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra and S. P. Denbaars: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1525.
• 3) A. Bykhovski, B. Gelmont and M. Shur: J. Appl. Phys. 74 (1993) 6734.
• 4) S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi and M. Shinohara: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L703.
• 5) S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi and M. Shinohara: <I>Proc. 2nd Int. Sympo. Blue Laser & Light Emitting Diodes, Chiba, 1998</I> (Ohmsha, Tokyo, 1999) p. 349.

タイトルに関連する用語 (9件)： 同軸 ,  衝撃衝突イオン散乱分光法 ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビーム ,  エピタキシャル ,  GaN ,  極性 ,  特性評価