クリーンルーム雰囲気中のガス状の汚染による水素終端Si表面上の自然酸化物の厚さの増加

文献

J-GLOBAL ID：200902132170590010 整理番号：97A0501322

The Increase of the Native Oxide Thickness on H-Terminated Si Surfaces by Gaseous Contamination in a Clean Room Atmosphere.

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資料名：
巻： 36 号： 3B ページ： 1578-1581 発行年： 1997年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記の現象を引き起こす効果の最も強い汚染はアンモニアである。...

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固体デバイス材料 , 半導体の表面構造

引用文献 (13件)：

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