文献

J-GLOBAL ID：200902132322395820   整理番号：02A0200633

ロジックへの適用のためのカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ

Carbon Nonotube Field Effect Transistors for Logic Applications.

著者 (4件)： MARTEL R (IBM T.J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  WONG H-S P (IBM T.J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  CHAN K (IBM T.J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  AVOURIS P (IBM T.J. Watson Res. Center, New York, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2001  ページ： 159-162  発行年： 2001年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンMOSFETの究極の限界は各種の方法で改善されている...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： 電力遅延

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ロジック ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ