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J-GLOBAL ID：200902132419798156   整理番号：95A0125146

変調ドープSi/Geヘテロ構造における移動度に律速された散乱機構の同定

Identification of a Mobility-Limiting Scattering Mechanism in Modulation-Doped Si/SiGe Heterostructures.

著者 (7件)： ISMAIL K (M.T.J. Watson Research Center, New York) ,  LEGOUES F K (M.T.J. Watson Research Center, New York) ,  SAENGER K L (M.T.J. Watson Research Center, New York) ,  ARAFA M (M.T.J. Watson Research Center, New York) ,  CHU J O (M.T.J. Watson Research Center, New York) ,  MOONEY P M (M.T.J. Watson Research Center, New York) ,  MEYERSON B S (M.T.J. Watson Research Center, New York)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 73  号： 25  ページ： 3447-3450  発行年： 1994年12月19日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.4-1.4Kで(1.5-1.8)×10<sup>5</s...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 変調ドープ ,  Si ,  Ge ,  ヘテロ構造 ,  移動度 ,  律速 ,  散乱 ,  同定