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J-GLOBAL ID：200902132457906337   整理番号：98A0358318

高周波プラズマCVDによる酸化シリコン膜作製における紫外線照射効果

Effect of ultraviolet irradiation in the silicon oxide film preparation by rf plasma CVD.

著者 (3件)： 穂積篤 (名古屋大 工) ,  杉本展久 (名古屋大 工) ,  高井治 (名古屋大 工)
資料名： 表面技術協会講演大会講演要旨集
巻： 94th  ページ： 32-33  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0050A  ISSN： 0917-2947  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  プラズマCVD ,  酸化シリコン膜 ,  作製 ,  紫外線照射効果