文献
J-GLOBAL ID:200902132489464018   整理番号:97A0360046

ビルトインMOSFETを使ったシリコン電界エミッタアレイからの放出電流の制御

Control of emission currents from silicon field emitter arrays using a built-in MOSFET.
著者 (4件):
資料名:
巻: 111  ページ: 218-223  発行年: 1997年02月 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
p型とn/p型のシリコン電界放出アレイ(FEA)の放出機構を...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0360046&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の固体デバイス  ,  電子源,イオン源 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る