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J-GLOBAL ID：200902132557041619   整理番号：02A0547831

カソード電着で成長させたCuドープp-CdTe膜の調製と特性解析

Preparation and Characterization of Cu-Doped p-CdTe Films Grown by Cathodic Electrodeposition.

著者 (6件)： TAKAHASHI M (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  MURAMATSU Y (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  WATANABE M (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  WAKITA K (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  MIYUKI T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  IKEDA S (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 149  号： 6  ページ： C311-C316  発行年： 2002年06月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuドープp型CdTe薄膜を,0.1M CdSO<sub>4...

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,...
準シソーラス用語： 陰極還元

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： カソード ,  電着 ,  成長 ,  Cu ,  ドープ ,  CdTe ,  調製 ,  特性解析