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J-GLOBAL ID：200902132617389784   整理番号：02A0017980

けい素表面の共有結合単分子層を経由する電子移動速度の距離依存性

Distance Dependence of the Electron-Transfer Rate Across Covalently Bonded Monolayers on Silicon.

著者 (6件)： CHENG J (Stanford Univ., California) ,  ROBINSON D B (Stanford Univ., California) ,  CICERO R L (Stanford Univ., California) ,  EBERSPACHER T (Stanford Univ., California) ,  BARRELET C J (Stanford Univ., California) ,  CHIDSEY C E D (Stanford Univ., California)
資料名： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B)
巻： 105  号： 44  ページ： 10900-10904  発行年： 2001年11月08日 
JST資料番号： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH₂=CH-(CH<sub>2</s...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

物質索引 (6件)： テトラヒドロフラン ,  ペンタメチルシクロペンタジエニド ,  1-ペンテン ,  1-ヘキセン ,  1-ヘプテン ,  1-オクテン

タイトルに関連する用語 (5件)： けい素 ,  共有結合 ,  単分子層 ,  電子移動速度 ,  距離依存性