GaAs基板上に成長させたIn<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>Asによって被覆された歪誘起InAs量子ドットからの1.35μmにおける21meVの狭い光ルミネセンス線幅

NISHI K; SAITO H; SUGOU S; LEE J-S

文献

J-GLOBAL ID：200902132621436754 整理番号：99A0341395

GaAs基板上に成長させたIn_0.2Ga_0.8Asによって被覆された歪誘起InAs量子ドットからの1.35μmにおける21meVの狭い光ルミネセンス線幅

A narrow photoluminescence linewidth of 21meV at 1.35μm from strain-reduced InAs quantum dots covered by In_0.2Ga_0.8As grown on GaAs substrates.

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巻： 74 号： 8 ページ： 1111-1113 発行年： 1999年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

自己集合法によって4%以下のサイズゆらぎを持つInAs量子点...

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半導体のルミネセンス , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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GaAs基板上に成長させたIn0.2Ga0.8Asによって被覆された歪誘起InAs量子ドットからの1.35μmにおける21meVの狭い光ルミネセンス線幅

GaAs基板上に成長させたIn_0.2Ga_0.8Asによって被覆された歪誘起InAs量子ドットからの1.35μmにおける21meVの狭い光ルミネセンス線幅