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J-GLOBAL ID：200902132898326409   整理番号：01A0234017

β-Ga₂O₃の浮遊帯域成長 オプトエレクトロニクス素子応用の新しい窓材料

Floating zone growth of β-Ga₂O₃. A new window material for optoelectronic device applications.

著者 (4件)： TOMM Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KO J M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOSHIKAWA A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKUDA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 66  号： 1/4  ページ： 369-374  発行年： 2001年02月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浮遊帯域技術による非ドープ,Geドーピング及びTiドーピング...

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： β-Ga2O3 ,  浮遊 ,  帯域 ,  成長 ,  オプトエレクトロニクス素子 ,  応用 ,  窓材