表面構造制御分子線エピタクシー層上への低圧化学蒸着による3C-SiCのエピタキシャル成長

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J-GLOBAL ID：200902133030273437 整理番号：99A0248292

Epitaxial growth of 3C-SiC by low-pressure chemical vapor deposition on a surface-structure-controlled molecular beam epitaxy layer.

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巻： 335 号： 1/2 ページ： 32-36 発行年： 1998年12月14日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

[110]方向に傾斜したSi(001)ミスカット基板上に3C...

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半導体薄膜

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