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J-GLOBAL ID：200902133030403632   整理番号：01A0753169

MOSトランジスタのスケーリング限界 弾道性MOSFET

Silicon Nanodevices. Scaling Limit of the MOS Transistor. A Ballistic MOSFET.

著者 (1件)： NATORI K (Univ. Tsukuba, Tsukuba-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E84-C  号： 8  ページ： 1029-1037  発行年： 2001年08月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弾道性金属-酸化膜-半導体電解効果型トランジスタ(MOSFE...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• TORIUMI, A. On the performance limit for Si MOSFET's: Experimental study. IEEE Trans. Electron Devices. 1988, 35, 999-1003
• SAI-HALASZ, G. A. High transconductance and velocity overshoot in NMOS devices at the 0.1-μm gate-length level. IEEE Electron Device Lett. 1988, 9, 464-466
• LAUX, S. E. Monte-Carlo simulation of submicrometer Si n-MOSFET's at 77 and 300K. IEEE Electron Device Lett. 1988, 9, 467-469
• NATORI, K. I-V Characterisitics of SOI MOSFETs in ballistic mode. Extended Abstracts 1993 Intern. Conf. Solid State Devices and Materials. 1993, 470-472
• NATORI, K. Ballistic metal-oxide-semiconductor field effect transistor. J. Appl. Phys. 1994, 76, 4879-4890

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSトランジスタ ,  スケーリング ,  限界 ,  弾道 ,  MOSFET