文献
J-GLOBAL ID:200902133299669574
整理番号:94A0179913
rf-dc結合バイアス・スパッタリング法によるSiエピタキシャル膜の電気特性の評価
Electorical characteristics of Si epitaxial film prepared by rf-dc coupled mode bias sputtering system.
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0179913&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}