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J-GLOBAL ID：200902133299669574   整理番号：94A0179913

rf-dc結合バイアス・スパッタリング法によるSiエピタキシャル膜の電気特性の評価

Electorical characteristics of Si epitaxial film prepared by rf-dc coupled mode bias sputtering system.

著者 (4件)： 進藤寿 (キヤノン) ,  市川武史 (キヤノン) ,  江田光治 (キヤノン) ,  近江和明 (キヤノン)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 2  ページ： 740  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  DC ,  バイアス ,  スパッタリング法 ,  Si ,  エピタキシャル膜 ,  電気特性 ,  評価