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J-GLOBAL ID：200902133503104514   整理番号：94A0084572

スパッタリング法によるSiC薄膜の生成

Preparation of SiC Thin Films by Sputtering Method.

著者 (6件)： 中村祐一 (信州大 工) ,  笹川悟 (信州大 工) ,  上村喜一 (信州大 工) ,  中尾真人 (信州大 工) ,  小沼義治 (信州大 工) ,  米久保荘 (信州大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 93  号： 368(SDM93 153-171)  ページ： 43-48  発行年： 1993年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 耐環境性圧力センサ,TFTなど電子デバイスへの応用を考慮して...

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,...
準シソーラス用語： 黒鉛

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： スパッタリング法 ,  SiC ,  薄膜