GaAs/AlAs二重障壁構造の対称界面フォノンのトンネリング測定

TURLEY P J; WALLIS C R; TEITSWORTH S W; LI W; BHATTACHARYA P K

文献

J-GLOBAL ID：200902133653606283 整理番号：93A0573837

GaAs/AlAs二重障壁構造の対称界面フォノンのトンネリング測定

Tunneling measurements of symmetric-interface phonons in GaAs/AlAs double-barrier structures.

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資料名：
巻： 47 号： 19 ページ： 12640-12648 発行年： 1993年05月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

フォノン援助トンネル電流が大きくなるように設計した標記非対称...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , ポーラロン,電子-フォノン相互作用

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