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文献
J-GLOBAL ID:200902133778580936   整理番号:02A0470057

低基板温度で蒸着した太陽電池用μc-Si;H薄膜における輸送等方性の重要性

Importance of the transport isotropy in μc-Si:H thin films for solar cells deposited at low substrate temperatures.
著者 (9件):
資料名:
巻: 299/302  号: Pt.A  ページ: 395-399  発行年: 2002年04月01日
JST資料番号: D0642A  ISSN: 0022-3093  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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標記薄膜の蒸着中における基板温度の物質構造とオプトエレクトロ...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  太陽電池 

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