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J-GLOBAL ID:200902134116392761   整理番号:93A0384956

集束イオンビームで書込んだ面内ゲートを持つHallバーの磁気輸送特性

Magnetotransport properties of Hall-bar with focused-ion-beam written in-plane-gate.
著者 (4件):
資料名:
巻: 184  号: 1/4  ページ: 192-196  発行年: 1993年02月 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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AlGaAs/GaAsヘテロ構造で,磁気輸送を面内ゲートで制...
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分類 (1件):
分類
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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