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J-GLOBAL ID：200902134194166913   整理番号：94A0179730

回路モデルを用いた静電破壊解析シミュレーション

A Simulation of Electrostatic Discharge Phenomena on MOSFETs using A Circuit Model.

著者 (5件)： 栗本一実 (松下電器産業 半導体研セ) ,  山下恭司 (松下電器産業 半導体研セ) ,  宮永績 (松下電器産業 半導体研セ) ,  堀敦 (松下電器産業 半導体研セ) ,  小田中紳二 (松下電器産業 半導体研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 2  ページ： 669  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 回路モデル ,  静電破壊 ,  解析 ,  シミュレーション