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J-GLOBAL ID：200902134617531150   整理番号：96A0719211

Si(100)面からのSTM誘起H原子脱着 同位体効果と部位選択性

STM-induced H atom desorption from Si(100): isotope effects and site selectivity.

著者 (7件)： AVOURIS P (IBM Res. Div., NY, USA) ,  WALKUP R E (IBM Res. Div., NY, USA) ,  ROSSI A R (IBM Res. Div., NY, USA) ,  SHEN T-C (Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA) ,  ABELN G C (Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA) ,  TUCKER J R (Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA) ,  LYDING J W (Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 257  号： 1/2  ページ： 148-154  発行年： 1996年07月19日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記脱着の機構及びHとDの脱着挙動の違いに着目し,走査型トン...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  STM ,  誘起 ,  H原子 ,  脱着 ,  同位体効果 ,  選択性