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J-GLOBAL ID：200902134620789010   整理番号：95A0248630

バルクSiCの成長

Growth of bulk SiC.
著者 (1件)：
TAIROV Y M

TAIROV Y M について

(St. Petersburg Electrotechnical Univ., St. Petersburg, SUN)

St. Petersburg Electrotechnical Univ., St. Petersburg, SUN について


資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology について


巻： 29  号： 1/3  ページ： 83-89  発行年： 1995年01月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
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LETI法によるSiCインゴットの成長を検討した。様々なポリ...
シソーラス用語：
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炭化ケイ素

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LETI法

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分類 (1件)：
分類
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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

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SiC

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