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J-GLOBAL ID：200902134646491612   整理番号：99A0390434

1800V三重注入縦型6H-SiC MOSFET

An 1800V Triple Implanted Vertical 6H-SiC MOSFET.

著者 (6件)： PETERS D (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  SCHOERNER R (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  FRIEDRICHS P (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  VOELKL J (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  MITLEHNER H (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  STEPHANI D (Siemens AG, Erlangen, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 3  ページ： 542-545  発行年： 1999年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブロッキング電圧1800Vの6H炭化けい素縦型電力MOSFE...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  縦型 ,  6H-SiC ,  MOSFET