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J-GLOBAL ID：200902134973037283   整理番号：00A0550051

自己形成GaP/InP量子ドットの構造的並びに光学的な特性評価

Structural and Optical Characterization of Self-Formed GaP/InP Quantum Dots.

著者 (9件)： GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI J (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  WATANABE D (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOH J H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUDETA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAWA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 29  号： 5  ページ： 530-534  発行年： 2000年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(311)基板上に(GaP)_1.5</su...

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： GSMBE

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己形成 ,  GAP ,  InP ,  量子ドット ,  光学 ,  特性評価