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J-GLOBAL ID：200902135022353386   整理番号：96A0213603

分子ビームエピタクシーによるInP上のInAs自己整合量子ドット

InAs self-assembled quantum dots on InP by molecular beam epitaxy.

著者 (5件)： FAFARD S (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  WASILEWSKI Z (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  MCCAFFREY J (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  RAYMOND S (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  CHARBONNEAU S (National Res. Council, Ontario, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 7  ページ： 991-993  発行年： 1996年02月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0次元系で,~1.4-~1.7μmスペクトル領域の室温光ルミ...

シソーラス用語： リン化インジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  InP ,  InAs ,  自己整合 ,  量子ドット