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J-GLOBAL ID：200902135112883759   整理番号：98A0044231

バルク及びエピタキシャルGaNの化学研磨

Chemical polishing of bulk and epitaxial GaN.

著者 (4件)： WEYHER J L (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU) ,  MUELLER S (Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU) ,  GRZEGORY I (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  POROWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 182  号： 1/2  ページ： 17-22  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNのバルク単結晶とヘテロエピタキシャルGaNについて,K...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  エピタキシャル ,  GaN ,  化学研磨