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J-GLOBAL ID：200902135282740642   整理番号：98A0247991

フォトレジストのイオンビーム改質と電界エミッタへのその応用

Ion Beam Modification of a Photoresist and Its Application to Field Emitters.

著者 (4件)： ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  SASAGURI D (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  SHIBATA E (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  HIGA K (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 12B  ページ： 7749-7753  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポジ型のノボラックフォトレジストへのイオンビーム照射効果とミ...

シソーラス用語： *フォトレジスト ,...
準シソーラス用語： 電界エミッタアレイ

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分類 (3件)： 放射線高分子化学  (CG03050S) ,  電子源,イオン源  (BD02020U) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (12件)：

• 1) C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake and M. E. Kordesch: Electron. Lett. 27 (1991) 1459.
• 2) S. Katsumata, Y. Oobuchi and T. Asano: Diamond & Related Mater. <b> 3</b> (1994) 1296.
• 3) T. Asano, Y. Oobuchi and S. Katsumata: J. Vac. Sci. & Technol. B <b> 13</b> (1995) 431
• 4) F. Y. Chuang, C. Y. Sun, H. F. Cheng, C. M. Huang and I. N. Lin: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1666
• 5) J. S. Abel, H. Mazurek, D. R. Day, E. W. Maby, S. D. Senturia, G. Dresselhaus and M. S. Dresselhaus: Metastable Materials Formation by Ion Implantation, eds. S. T. Picraux and W. J. Choyke (Elsevier, New York, 1982) p. 173.

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトレジスト ,  イオンビーム ,  改質 ,  電界エミッタ ,  応用