歪誘起横方向層秩序化過程によって製作したGaxIn1-xPの多重量子細線ヘテロ構造

CHEN A C; MOY A M; PEARAH P J; HSIEH K C; CHENG K Y

文献

J-GLOBAL ID：200902135309617120 整理番号：93A0363774

歪誘起横方向層秩序化過程によって製作したGa_xIn_1-xPの多重量子細線ヘテロ構造

Ga_xIn_1-xP multiple-quantum-wire heterostructures prepared by the strain induced lateral layer ordering process.

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巻： 62 号： 12 ページ： 1359-1361 発行年： 1993年03月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ガスソースMBEによってGaxIn<s...

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半導体薄膜 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体のルミネセンス

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