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J-GLOBAL ID：200902135315117423   整理番号：02A0499242

InNの基本バンドギャップの異常な性質

Unusual properties of the fundamental band gap of InN.

著者 (9件)： WU J (Univ. California, California) ,  WALUKIEWICZ W (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  YU K M (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  AGER J W III (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  HALLER E E (Univ. California, California) ,  LU H (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., New York) ,  SAITO Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 21  ページ： 3967-3969  発行年： 2002年05月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InN結晶は(0001)サファイア面上に分子ビームエピタクシ...

シソーラス用語： *窒化インジウム ,...
準シソーラス用語： *禁止帯

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： InN ,  バンドギャップ ,  性質