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J-GLOBAL ID：200902135372995631   整理番号：94A0062638

分子ビームエピタクシーによって成長させたIn_0.52Al_0.48Asの深い準位に及ぼす成長温度とアニーリングの効果

Growth temperature and annealing effects on deep traps of In_0.52Al_0.48As grown by molecular beam epitaxy.

著者 (6件)： OH W-U (Hanyang Univ., KOR) ,  OH J-E (Hanyang Univ., KOR) ,  RYOO S-R (Hanyang Univ., KOR) ,  PAEK S-H (Hanyang Univ., KOR) ,  CHUNG C-K (Dongguk Univ., KOR) ,  KANG T-W (Dongguk Univ., KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 74  号： 11  ページ： 7016-7018  発行年： 1993年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深準位過渡分光法を用いてInP基板上の格子整合In<sub>...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  深い準位 ,  成長温度 ,  アニーリング