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J-GLOBAL ID：200902135864632577   整理番号：00A0019300

マルチエネルギー陽子寿命の制御技術を用いた展開SOAを有する4.5kV-高速ダイオード

4.5kV-Fast-Diodes with Expanded SOA Using a Multi-Energy Proton Lifetime Control Technique.

著者 (4件)： HUMBEL O (ETH Zuerich, CHE) ,  GALSTER N (ABB Semiconductors Lenzburg, CHE) ,  BAUER F (ABB Semiconductors Lenzburg, CHE) ,  FICHTNER W (ETH Zuerich, CHE)
資料名： Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999  (Proceedings. 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1999)
ページ： 121-124  発行年： 1999年 
JST資料番号： K19990435  ISBN： 0-7803-5291-2  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： マルチ ,  エネルギー ,  陽子 ,  寿命 ,  制御技術 ,  展開 ,  SOA ,  ダイオード