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J-GLOBAL ID：200902136089392331   整理番号：99A0739643

サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層の効果と機構

Effect of low-temperature-deposited layer on the growth of group III nitrides on sapphire.

著者 (2件)： 天野浩 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名城大 理工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 68  号： 7  ページ： 768-773  発行年： 1999年07月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンやガリウムヒ素など,従来の半導体では原理的に不可能な...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (33件)：

• 1) 例えば,最新のデータは,山田範秀=応用物理, 68, 39 (1999).
• 2) 例えば, http://wwwla.mesh.ne.jp/nichia/index-e.htm; 日経産業新聞 1999年1月12日など.
• 3) J. Burm, K. Chu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. Asif Khan, Q. Chen, J. W. Yang and M. S. Shur: IEEE Electron Device Letters 18,141 (1997).
• 4) H. P. Maruska and J. J. Tietjen: Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
• 5) J. I. Pankove, E. A. Miller, D. Richman and J. E. Berkey heiser: J. Lumin. 4, 63 (1971).

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  III族 ,  窒化物半導体 ,  成長 ,  低温 ,  堆積層