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J-GLOBAL ID：200902136411181465   整理番号：01A0060196

強結合電子-フォノン系における正孔ドープ状態の断熱的性質

Adiabatic nature of hole-doped states in strongly coupled electron-phonon systems.

著者 (3件)： NITTA H (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI M (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  IIDA T (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 62  号： 11  ページ： 7050-7056  発行年： 2000年09月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強い電子-フォノン相互作用を持つ電荷密度波(CDW)状態の正...

シソーラス用語： バリウム化合物 ,...

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分類 (1件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強結合 ,  電子-フォノン系 ,  正孔 ,  ドープ ,  熱的性質