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J-GLOBAL ID：200902136460855749   整理番号：94A0192171

Oxidation Simulation and Growth Kinetics of Thin SiO2 in Pure N2O.

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著者 (2件)：
SUN S C

SUN S C について

(Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)

Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について

, 
CHANG H Y

CHANG H Y について

(Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)

Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について


資料名：
Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5  (Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5)

Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5 について


ページ： 169-172  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19940113  ISBN： 3-211-82504-5  資料種別： 会議録 (C)
発行国： オーストリア (AUT)  言語： 英語 (EN)
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SiO2

SiO2 について

, 
N2O

N2O について


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