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J-GLOBAL ID：200902136489489768   整理番号：99A0691344

超薄ゲート酸化物の原子スケールにおける電子構造

The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides.

著者 (6件)： MULLER D A (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  SORSCH T (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  MOCCIO S (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  BAUMANN F H (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  EVANS-LUTTERODT K (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  TIMP G (Bell Lab., New Jersey, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 399  号： 6738  ページ： 758-761  発行年： 1999年06月24日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査電子顕微鏡で電子エネルギー損失分光測定を行い,ナノメータ...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯

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分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート酸化物 ,  原子スケール ,  電子構造