文献

J-GLOBAL ID：200902136516032228   整理番号：96A0636383

液相と接合した多孔質シリコンの電気伝導

Conduction in porous silicon contacted by a liquid phase.

著者 (4件)： GELLOZ B (Univ. Joseph Fourier de Grenoble, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  BSIESY A (Univ. Joseph Fourier de Grenoble, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  GASPARD F (Univ. Joseph Fourier de Grenoble, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  MULLER F (Univ. Joseph Fourier de Grenoble, Saint Martin d’Heres, FRA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 276  号： 1/2  ページ： 175-178  発行年： 1996年04月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電解液と接合した多孔質シリコン骨格中の自由キャリアの蓄積/欠...

シソーラス用語： 半導体-電解質接合 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0636383&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 液相 ,  多孔質シリコン ,  電気伝導