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J-GLOBAL ID：200902136559368947   整理番号：99A0420043

サブ10nmトンネル絶縁膜の微視的SILC特性に対する窒化膜形成のエンジニアリング効果

Impact of Nitridation Engineering on Microscopic SILC Characteristics of Sub-10-nm Tunnel Dielectrics.

著者 (9件)： OGATA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INOUE M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NAKAMURA T (Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUJI N (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KOBAYASHI K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROKAWA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KANEOKA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OHNO Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998  ページ： 597-600  発行年： 1998年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オキシナイトライド膜について,28,800箇のアレイ状のスタ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： トンネル絶縁膜 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  トンネル絶縁膜 ,  SILC ,  窒化膜 ,  エンジニアリング