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J-GLOBAL ID：200902136567154808   整理番号：98A0887356

自己形成InAs/GaAs量子ドットの圧力誘起Γ-Xクロスオーバ以上でのエネルギー準位

Energy levels in self-assembled InAs/GaAs quantum dots above the pressure-induced Γ-X crossover.
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著者 (7件)：
ITSKEVICH I E

ITSKEVICH I E について

(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)

Univ. Nottingham, Nottingham, GBR について

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LYAPIN S G

LYAPIN S G について

(Univ. Oxford, Oxford, GBR)

Univ. Oxford, Oxford, GBR について

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TROYAN I A

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(Univ. Oxford, Oxford, GBR)

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KLIPSTEIN P C

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(Univ. Oxford, Oxford, GBR)

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EAVES L

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(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)

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MAIN P C

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(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)

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HENINI M

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(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 58  号： 8  ページ： R4250-R4253  発行年： 1998年08月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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ヒ化ガリウム

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圧力依存性

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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

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,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

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, 
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エネルギー準位 について


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