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J-GLOBAL ID：200902136809612571   整理番号：93A0500226

非平面基板上の有機金属化学蒸着によって成長したInGaAs/GaAs歪み量子ワイヤレーザ

InGaAs/GaAs strained quantum wire lasers grown by organometallic chemical vapor deposition on nonplanar substrates.

著者 (5件)： WALTHER M (Bellcore, New Jersey) ,  KAPON E (Bellcore, New Jersey) ,  CANEAU C (Bellcore, New Jersey) ,  HWANG D M (Bellcore, New Jersey) ,  SCHIAVONE L M (Bellcore, New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 62  号： 18  ページ： 2170-2172  発行年： 1993年05月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.25μmピッチの有機金属化学蒸着によって成長したInGa...

シソーラス用語： 量子井戸レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  InGaAs ,  GaAs ,  歪み ,  量子ワイヤレーザ