ZnSe被覆層で不動態化したCdSe量子ドットを用いたルミネセンス性薄膜CdSe/ZnSe量子ドット複合材料の合成

DANEK M; JENSEN K F; MURRAY C B; BAWENDI M G

文献

J-GLOBAL ID：200902137079439352 整理番号：96A0244873

ZnSe被覆層で不動態化したCdSe量子ドットを用いたルミネセンス性薄膜CdSe/ZnSe量子ドット複合材料の合成

Synthesis of Luminescent Thin-Film CdSe/ZnSe Quantum Dot Composites Using CdSe Quantum Dots Passivated with an Overlayer of ZnSe.

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資料名：
巻： 8 号： 1 ページ： 173-180 発行年： 1996年01月
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CdSeナノ結晶(量子ドット)をセレン化トリオクチルホスフィ...

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半導体薄膜 , 混成集積回路 , 無機化合物のルミネセンス

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